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MIT: verso chip più rapidi e scalabili
La svolta deriva dall’impiego del bromuro di zolfo e cromo. Si tratta di un materiale bidimensionale che mantiene stabili le sue proprietà magnetiche anche a contatto con l’aria. Questa caratteristica permette al dispositivo di passare con precisione tra stati magnetici differenti, modificando di conseguenza il comportamento elettronico e riducendo l’energia necessaria al funzionamento.
Tale progetto si colloca nel campo della spintronica. Ovvero la disciplina che utilizza non solo la carica elettrica degli elettroni ma anche il loro spin, cioè la proprietà magnetica intrinseca. Una simile combinazione consente di superare le barriere del silicio, aprendo la strada a dispositivi più compatti ed efficienti. La costruzione del transistor è stata resa possibile da una tecnica semplice ma efficace. I ricercatori del MIT hanno trasferito il materiale magnetico con del nastro adesivo, evitando solventi che avrebbero potuto contaminare la superficie. Il risultato è stato un’interfaccia pulita e prestazioni elevate.
Nei test iniziali, la commutazione è stata ottenuta tramite un campo magnetico esterno, già con consumi inferiori a quelli di un transistor tradizionale. In seguito, il dispositivo ha dimostrato di poter essere controllato anche attraverso correnti elettriche. Ma la vera novità è l’aggiunta della memoria. Infatti, per la prima volta, il transistor non si limita ad accendersi e spegnersi, ma conserva le informazioni. In questo modo il segnale diventa più forte, più semplice da leggere e più affidabile. Insomma, la combinazione di velocità, efficienza e capacità di memoria potrebbe trasformare il futuro dei chip.
Fonte: TecnoAndroid
