La DRAM rischia di diventare merce rara nel 2027, e a lanciare l’allarme non è una voce isolata ma un coro di dirigenti del settore. Il CEO di Apacer parla di un possibile crollo dell’offerta fino al 70 percento, un dato che fa eco a quanto già dichiarato ai vertici di SK hynix. Il problema di fondo è sempre lo stesso: la memoria per l’intelligenza artificiale sta divorando le risorse produttive, e gli smartphone di oggi non sono più frenati dai loro processori ma proprio dalla quantità di memoria disponibile, soprattutto quando si parla di funzioni AI direttamente sul dispositivo.
DRAM: numeri che spaventano l’intero settore
Secondo C.K. Chang, a capo di Apacer, i produttori di memorie potrebbero immettere sul mercato solo il 30 percento dei volumi previsti per il 2026, con una contrazione dell’offerta pari al 70 percento su base annua. Non proprio uno scenario rassicurante. E le parole di Chang si allineano quasi alla perfezione con quelle di Kwak Noh-jung, numero uno di SK hynix, che ha usato toni ancora più cupi. Per lui il 2027 sarà semplicemente “l’anno peggiore nella storia del settore dal punto di vista dell’offerta”.
Il nodo centrale ha un nome preciso: HBM, la memoria ad alta larghezza di banda che gli acceleratori per l’intelligenza artificiale reclamano a gran voce. Un recente rapporto indica che la produzione complessiva di wafer per la memoria dovrebbe crescere di circa il 12 percento all’anno nel biennio 2027-2028. Il punto è che circa metà di questa capacità finirà interamente nelle HBM, lasciando le briciole a tutto il resto.
Basta guardare i numeri per capire dove sta andando l’industria. Samsung spedirà circa 12 miliardi di GB di HBM nel 2026, per poi salire a 20 miliardi nel 2027. SK hynix, dal canto suo, passerà da 18 a 24 miliardi di GB nello stesso arco di tempo. Il risultato è che la crescita della DRAM non HBM resterà inchiodata a un modesto 15 percento annuo tra il 2027 e il 2028, mentre la domanda dovrebbe salire del 22 percento. Uno squilibrio che pesa.
Nuovi impianti e una possibile via di uscita
Sul fronte della capacità produttiva qualcosa si muove, ma con tempi lunghi. Il Samsung P5 Fab 1 dovrebbe entrare in funzione entro luglio 2027, mentre il P5 Fab 2 e un altro stabilimento a Yongin arriveranno solo nel 2029. Per SK hynix il fab Y1 di Yongin partirà a febbraio 2027, seguito dal Y2 nella seconda metà del 2028. Insomma, le nuove linee ci saranno, ma difficilmente basteranno a tamponare la fame di memoria nel breve periodo.
Durante l’ultima conference call sui risultati, SK hynix ha ribadito che la domanda continuerà a crescere ovunque, non solo per l’HBM legata all’AI e al calcolo, ma anche per la DRAM server necessaria a sostenere l’AI agentica e per le memorie NAND ad alta capacità, spinte dall’espansione dei servizi di intelligenza artificiale e dalla crescita dei dati.
L’unico vero spiraglio per l’elettronica di consumo potrebbe arrivare da CXMT e dalla sua tecnologia di DRAM 3D. L’idea è impilare le celle di memoria in verticale per aumentare la capacità, invece di continuare a incidere geometrie orizzontali sempre più piccole con le costose macchine EUV. Un approccio che punta a massimizzare la densità di bit e lo spazio di archiviazione senza dover rimpicciolire i nodi orizzontali.