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Il nodo Intel 14A sembra avere fretta, e non è un modo di dire: la produzione a rischio, quella fase in cui una tecnologia viene messa alla prova con volumi limitati prima del via libera commerciale, sarebbe stata spostata al primo trimestre del 2027. Un anticipo che arriva dopo un altro anticipo, visto che la tabella di marcia originaria parlava del 2028, poi diventato seconda metà del 2027. Ora si parla dei primi tre mesi dell’anno prossimo, con l’amministratore delegato Lip-Bu Tan che avrebbe indicato personalmente la nuova finestra temporale.
Il dettaglio non è secondario, perché la produzione a rischio è il momento in cui un processo produttivo smette di essere un esercizio da laboratorio e comincia a fare i conti con la realtà industriale. Il nodo 18A-P, va ricordato, si trova già in questa fase. Che 14A acceleri in questo modo significa che dentro le fabbriche qualcosa sta funzionando meglio del previsto.
Intel 14A: la densità dei difetti corre verso l’obiettivo
A dare sostanza all’anticipo è il dato sulla defect density, quella che in gergo viene indicata come D0. Si tratta del numero medio di difetti microscopici rilevati per unità di superficie su un wafer di silicio. Più il numero scende, più aumentano le rese, quindi i chip effettivamente utilizzabili che escono da ogni disco di silicio. È l’indicatore che racconta meglio di qualsiasi presentazione quanto un processo sia maturo.
Nel giugno 2026 Intel ha registrato una densità di difetti pari a 0,5 sul nodo 14A, con l’obiettivo dichiarato di arrivare tra 0,1 e 0,2 entro il primo trimestre del 2027. Quando un processo si avvicina alla commercializzazione, la curva della D0 tende a crollare rapidamente, ed è esattamente quello che sembra stia accadendo. David Zinsner ha aggiunto un paragone che pesa: 14A starebbe migliorando alla velocità più alta vista almeno dai tempi dei 22 nanometri, quindi dal 2012.
Cosa c’è dentro il nodo da 1,4 nanometri
Sul piano tecnico, 14A è un processo di classe 1,4 nanometri costruito attorno a due elementi principali. Il primo sono i transistor RibbonFET 2, seconda generazione dell’architettura Gate-All-Around, che consente un controllo elettrostatico più stretto su transistor sempre più piccoli. Tradotto in pratica: corrente di pilotaggio migliore e dispersioni di energia ridotte al minimo.
Il secondo è PowerDirect, il sistema di alimentazione dal retro del wafer. L’idea è spostare tutto il cablaggio elettrico sul lato posteriore del silicio, lasciando la superficie frontale libera per i soli segnali dati. Il risultato è una resistenza elettrica più bassa e una densità complessiva più alta, due cose che nella corsa tra fonderie fanno differenza.
Intanto arrivano numeri anche dal fronte finanziario. L’analista Jeff Pu di GF Securities ha indicato una resa attorno all’80 percento per il nodo 18A, cifra ricavata dalla produzione dei chip Panther Lake. Sempre Pu stima che la produzione su 14A possa attestarsi sui 6.000 wafer al mese nel 2027, per poi salire a 24.000 wafer mensili nel 2028.
Sul tavolo restano anche gli altri due elementi emersi dalla chiamata sui risultati del secondo trimestre 2026: l’accelerazione della produzione a rischio di 14A e la volontà di alzare in modo significativo le spese in conto capitale il prossimo anno, segnale che l’azienda ha buona visibilità sugli ordini già confermati.
Una precisazione va fatta, però. Attorno alle dichiarazioni di Lip-Bu Tan è nata qualche confusione su quale anno sia stato realmente citato, se il primo trimestre del 2027 oppure quello del 2028. La finestra indicata, insomma, non è ancora scolpita nella pietra.
