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Le nuove tecnologie di memoria presentate da Samsung alla conferenza Future of Memory and Storage 2026 di Santa Clara, in California, raccontano bene dove sta andando il mercato dello storage in questo momento. Tre soluzioni in tutto, una legata all’evoluzione della HBM e due pensate per l’archiviazione dati. Nello stesso evento anche SK hynix ha voluto dire la sua, svelando le specifiche di una tecnologia sviluppata insieme a Sandisk.
zHBM, zNAND-O e V10 BV-NAND, le carte di Samsung
La memoria ad alte prestazioni che troviamo nelle GPU di fascia alta, quelle usate per addestrare e far girare i modelli di intelligenza artificiale, si chiama HBM, ovvero High Bandwidth Memory. Samsung qui gioca da protagonista, con soluzioni HBM4, HBM4E e HBM5 già a listino. La novità mostrata in anteprima porta il nome di zHBM e cambia le carte in tavola su un punto preciso. Invece di stare accanto al processore, come accade con la HBM tradizionale, la zHBM viene impilata verticalmente sopra gli acceleratori AI. Meno strada devono fare i dati tra processore e memoria, più il sistema guadagna in larghezza di banda ed efficienza energetica. I numeri promessi fanno una certa impressione. Prestazioni circa otto volte superiori rispetto alla HBM5, densità oltre dieci volte più alta e un’efficienza energetica nettamente migliore.
C’è poi la zNAND-O, una NAND ad alte prestazioni basata sulla tecnologia V-NAND, per ora in sviluppo nelle versioni a quattro e otto layer. Qui l’obiettivo è chiaro. Servire gli ambienti di intelligenza artificiale edge, quelli che chiedono applicazioni in tempo reale e tanti dati da masticare, contando su efficienza di spazio, prestazioni I/O migliorate e bassa latenza.
L’ultima carta scoperta da Samsung è la V10 BV-NAND, sigla che sta per Bonding V-NAND di decima generazione. Oltre 400 layer, prestazioni e densità di archiviazione superiori alla generazione precedente, con un passo avanti anche sulle operazioni di lettura, scrittura e I/O.
HBF, il progetto di SK hynix e Sandisk
Sul fronte SK hynix la protagonista è la High Bandwidth Flash, o HBF, nata dalla collaborazione con Sandisk. L’idea è quella di piazzarsi a metà strada tra la HBM e un normale SSD. Da un lato un trasferimento dati veloce, molto simile a quello delle memorie HBM, dall’altro una capacità che cresce parecchio grazie alla tecnologia NAND.
Nel concreto si possono realizzare moduli fino a 512 GB, appoggiandosi a due configurazioni di stack, una da 8 e una da 16 chip NAND. La larghezza di banda è divisa in tre livelli, così da offrire prestazioni scalabili che vanno da circa 0,4 TB/s fino a 3,0 TB/s. Il tutto con il supporto all’interfaccia standard di connessione UCIe, la Universal Chiplet Interconnect Express.
