Samsung Galaxy S25 Ultra, atteso per l’inizio del 2025, introdurrà interessanti novità nelle opzioni di memoria RAM, segnando un cambiamento significativo rispetto ai modelli precedenti. In queste ore a confermare il tutto ci hanno pensato alcune indiscrezioni provenienti da fonti molto attendibili.
Le varianti di RAM e storage che Samsung ha previsto
Stando a quanto riportato nelle ultime ore, Samsung potrebbe optare questa volte per un top di gamma in tre configurazioni differenti:
- 12 GB di RAM e 256 GB di storage;
- 16 GB di RAM e 512 GB di storage;
- 16 GB di RAM e 1 TB di storage.
Più attenti avranno notato una novità su tutte, quella vera e propria: il ritorno di una versione con 16 GB di RAM. Fin dal Galaxy S21 non se ne vedeva una e a quanto pare la motivazione di tale scelta risulterebbe chiara, in quanto le nuove funzioni legate all’intelligenza artificiale necessiterebbero di risorse hardware più performanti.
Perché Samsung vuole più RAM
La maggiore capacità di RAM potrebbe essere necessaria per supportare Galaxy AI, la suite di funzioni AI di Samsung. Recenti indizi, come una pagina dedicata a One UI 7 trapelata sul sito ufficiale, suggeriscono che l’AI avrà un ruolo centrale nella nuova generazione di dispositivi.
Un confronto interessante può essere fatto con Apple, che ha aumentato la RAM degli iPhone 16 per rendere disponibili le funzioni di Apple Intelligence. Samsung potrebbe seguire questa strada per garantire prestazioni avanzate ai modelli con 16 GB di RAM.
Dal punto di vista hardware, si prevede che il Galaxy S25 Ultra sarà simile al modello precedente, con un display e una batteria invariati. La principale novità sarà l’introduzione del processore Snapdragon 8 Elite, mentre il design abbandonerà i bordi netti a favore di angoli più arrotondati, come mostrano immagini e video trapelati.
Nonostante queste novità, l’assenza di cambiamenti radicali potrebbe rendere il Galaxy S25 Ultra un aggiornamento piuttosto conservativo, seguendo la scia di una generazione di smartphone meno rivoluzionari.
