Un gruppo di ricercatori dell’Università di Fudan ha sviluppato una nuova memoria flash non volatile chiamata PoX, capace di scrivere un singolo bit in appena 400 picosecondi (0,4 nanosecondi), l’equivalente di 25 miliardi di operazioni al secondo. Questa velocità senza precedenti supera di gran lunga il precedente record per le memorie non volatili (circa due milioni di operazioni al secondo), avvicinandosi alle prestazioni delle memorie volatili più avanzate come le SRAM, ma mantenendo i vantaggi di una memoria persistente. Ciò avrà ripercussioni non indifferenti sulle operazioni svolte da AI rendendole più veloci ed efficaci e migliorandone il tempo di lavoro.
Il progetto, guidato dal professor Zhou Peng, ha introdotto un’architettura rivoluzionaria basata su grafene di Dirac bidimensionale al posto del silicio nei canali conduttivi. Grazie alla capacità del grafene di trasportare cariche in modo balistico, e all’ottimizzazione della cosiddetta “lunghezza gaussiana” del canale, i ricercatori hanno ottenuto una “super-iniezione” di cariche nello strato di memorizzazione, superando così le limitazioni tradizionali delle memorie flash.
Impatti e scenari futuri sull’AI
PoX rappresenta una svolta per il settore AI, dove la velocità e l’efficienza nella gestione dei dati sono cruciali. La natura non volatile della memoria consente di conservare i dati senza alimentazione, ideale per dispositivi mobili o sistemi embedded. Inoltre, la riduzione del consumo energetico e dell’area occupata potrebbe eliminare la necessità di cache SRAM, semplificando i design hardware e migliorando l’efficienza dei chip.
Questa tecnologia potrebbe rendere obsoleti alcuni componenti attuali, e rafforzare la leadership cinese nei semiconduttori. Attualmente sono in corso esperimenti su array di celle PoX, ma non ci sono ancora partner commerciali noti. Tuttavia, il potenziale è altissimo, anche grazie alla compatibilità del grafene con i processi produttivi CMOS.
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