“L’avanzata tecnologia di processo FinFET a 14 nm di Samsung è senza dubbio la tecnologia di processo logica più avanzata del settore, “ha affermato Gabsoo Han, Executive Vice President Sales & Marketing, System LSI Business, Samsung Electronics. ” Ci aspettiamo che la produzione del nostro processore a 14nm in ambito mobile influenzerà positivamente la crescita del settore mobile, consentendo ulteriori miglioramenti delle prestazioni per smartphone top di gamma.”
Poiché la tecnologia più avanzata disponibile oggi il processo FinFET a 14nm, è in grado di raggiungere i più alti livelli di efficienza, prestazioni e produttività. Rispetto alla tecnologia di processo a 20nm di Samsung, questo nuovo processo consente un regime del 20 per cento più veloce, un 35 per cento in meno di consumo d’energia e il 30 per cento di guadagno in produttività.
Incorporando con successo la struttura FinFET tridimensionale (3D) su transistor, Samsung ha superato le limitazioni in prestazioni e scalabilità della struttura planare utilizzata nei 20nm e precedentemente nei processi più anziani ed ha guadagnato un notevole vantaggio competitivo nei semiconduttori più avanzati per il settore mobile.
Questo risultato innovativo è il risultato di ineguagliabili sforzi di R & S di Samsung nella tecnologia FinFET fin dai primi anni del 2000. A partire da un articolo di ricerca presentata al IEDM (Devices internazionali Electron Meeting) nel 2003, Samsung ha continuamente fatto progressi e ha annunciato le sue realizzazioni tecnologiche nel campo della ricerca FinFET e ha anche presentato un pool di brevetti chiave nel settore.
Per quanto riguarda i dispositivi di memoria, Samsung ha messo con successo in produzione di massa i suoi prodotti 3D V-NAND di proprietà dal 2013. Insieme con la sua tecnologia di processo FinFET a transistor 3D, Samsung con queste innovazioni tecnologiche ha rafforzato la propria leadership nel settore dei semiconduttori sia di memoria che logici che affrontano invece le limitazioni di scala correnti con disegni planari.
Processo FinFET leader-edge14nm di Samsung sarà adottato dal suo Exynos 7 Octa, poi esteso ad altri prodotti nel corso dell’anno.