Un gruppo di ricercatori dell’Università di Fudan ha fatto una scoperta straordinaria nel panorama dell’intelligenza artificiale. Hanno sviluppato una nuova memoria a semiconduttore, chiamata PoX, capace di programmare un singolo bit in 400 picosecondi. Ovvero 0,0000000004 secondi. In termini pratici, questo si traduce in circa 25 miliardi di operazioni al secondo. Pubblicato sulla rivista Nature, il risultato stabilisce un nuovo standard per l’hardware utilizzato in applicazioni AI.
La nuova tecnologia PoX promette di rivoluzionare il mercato dei chip
Il fulcro di questa innovazione è il cambiamento profondo nel design della memoria. I ricercatori hanno sostituito i tradizionali canali di silicio con grafene bidimensionale. Hanno approfittato così delle sue proprietà di trasporto delle cariche. Ottimizzando il “canale gaussiano” per ottenere una “super-iniezione” bidimensionale, sono riusciti a eliminare il collo di bottiglia che tradizionalmente limitava le prestazioni delle memorie flash. Questo risultato, che ha portato PoX al suo limite teorico, è stato reso possibile anche grazie all’uso dell’intelligenza artificiale per ottimizzare il processo di progettazione.
La memoria PoX non è solo veloce, ma anche non volatile, il che significa che è in grado di conservare i dati senza necessitare di alimentazione. Questa caratteristica è cruciale per le future applicazioni di intelligenza artificiale e per i dispositivi alimentati a batteria, come smartphone e laptop. Con tempi di scrittura che raggiungono i picosecondi e consumi energetici ridotti, PoX potrebbe finalmente superare il persistente collo di bottiglia nelle operazioni di memoria, un problema che attualmente limita l’efficienza dell’AI durante l’addestramento e l’inferenza.
L’innovazione non si limita alla velocità e alla conservazione dei dati: PoX potrebbe anche ridurre la necessità di costosi e ingombranti cache SRAM nei chip per AI, portando a dispositivi più compatti e con accensione istantanea. Inoltre, PoX potrebbe alimentare motori di database che mantengono interi set di lavoro in RAM persistente, migliorando così le prestazioni e l’efficienza complessiva dei sistemi.
Al momento, gli ingegneri di Fudan stanno lavorando sull’ampliamento dell’architettura delle celle e sulla realizzazione di dimostrazioni a livello di array, mentre la produzione di massa e i partner commerciali sono ancora in fase di sviluppo.