Intel ha colto l’occasione del convegno VLSI Symposium 2024 per offrire alcuni dettagli in più sul suo nuovo processo produttivo utilizzato per realizzare i processori Xeon 6 delle famiglie Sierra Forest e Granite Rapids, parliamo di Intel 3.
Si tratta di un processo progettato per garantire la presenza di transistor di lunga durata e basato su tecnologia FinFET, l’ultimo che lascerà il posto a quelli basati su RibbonFET, il che garantirà un passo in avanti nel progetto aziendale di 5 nodi in quattro anni, avviato da Intel nel 2021 con l’obbiettivo di riacquistare la leadership del mercato.
Svariati vantaggi
I transistor realizzati con lo snodo Intel 3 presentano numerosi vantaggi rispetto a quelli realizzati con Intel 4, in primis un miglioramento delle prestazioni del 18% a parità di consumi, un incremento della densità dei transistor del 10% e la promessa di chip in grado di funzionare a lungo.
La famiglia in questione presenta ben 4 varianti specifiche, ottimizzate per scenari specifici, scopriamo di quali si tratta:
- Il nodo Intel 3: miglioramento nel rapporto tra prestazioni e consumi del 18% rispetto al nodo Intel 4, aumento della densità di transistor del 10%, consentendo di impiegare più transistor a parità di superficie del die, librerie ad alta densità da 210 nm.
- Il nodo Intel 3-T: tecnologie del nodo base alle quali si aggiunge l’alimentazione verticale TSV (Through Silicon Via) per soluzioni che prevedono più chip in un unico package, pensati per sistemi per l’elaborazione delle immagini, il calcolo ad alte prestazioni e l’intelligenza artificiale.
- Il nodo Intel 3-E: dedicato a chipset e soluzioni di archiviazione dati, rispetto ai due nodi precedenti abbiamo i gate da 1.2V, con tecnologia Deep N-well per un maggior isolamento e un ricco set di I/O per garantire il collegamento con interfacce esterne e di soluzioni analogiche e a segnale misto.
- Il nodo Intel 3-PT: migliore alimentazione TSV con collegamenti da 9 micrometri (um), impiega la tecnologia Hybrid bonding in funzione di soluzioni con chip 3D dalla densità ancora più elevata, pensato per soluzioni di intelligenza artificiale e per il calcolo ad alte prestazioni.
