SK Hynix batte Samsung nelle memorie: le sue UFS 4.1 imbattibili

La società coreana è stata battuta in un campo nel quale di solito predomina, le sue memorie UFS non sono più le top assolute

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Una branca molto importante per quanto riguarda le tecnologie dell’attuale generazione e probabilmente delle prossime generazioni di dispositivi mobile ovviamente è quella legata alle memorie, queste ultime infatti devono garantire prestazioni davvero di eccellenza dal momento che servono a velocità davvero importanti per permettere l’esecuzione di programmi di intelligenza artificiale direttamente on board, in questo campo a farla da padrone è stata fin da sempre Samsung che però questa volta si vede lo scettro scippato da una rivale diretta, parliamo di Sk Hynix.

 

UFS 4.1

In base alle ultime dichiarazioni dell’azienda, quest’ultima è riuscita a raggiungere un traguardo per importante grazie alle proprie memorie di nuova generazione UFS 4.1, la prima ad utilizzare 321 Layers sovrapposti e in grado di garantire un incremento del 7% in termini di velocità rispetto al modello della generazione precedente.

Nello specifico parliamo della NAND flash 4D triple level cell (TLC) da 1 TB a 321 layer, ciò le permette di raggiungere l’incredibile velocità in termini di lettura sequenziale di 4300 MB/s, dato che però non è unico in quanto la società dichiara anche un incredibile miglioramento nelle prestazioni di lettura e scrittura casuale, rispettivamente del 15% e del 40% in più rispetto alla generazione precedente.

Assegnare il vero e proprio passo in avanti, però non sono le velocità di queste memorie, le quali seppur superiori non si discostano molto da quelle dei modelli precedenti, bensì proprio il 321 layer che rappresentano un avanzamento importante in termini densità di memoria dal momento che il modello più avanzato prima di quest’ultimo ne vantava solo 176, questo cambiamento dunque consente l’importante passo in avanti sia in termini di quantità di memoria che in termini di superficie occupate e consumi energetici che risultano davvero molto più efficienti rispetto ai modelli della generazione passata.

Per quanto riguarda la memoria in termini pratici, l’azienda punta a produrre tagli da 512 GB e 1 TB e vuole ottenere l’approvazione entro la fine dell’anno per iniziare la produzione in massa e le spedizioni entro il primo trimestre del 2026.

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