Samsung si sta mettendo in moto per sposare a pieno la causa Intelligenza Artificiale, la nota azienda tecnologica si è messa in moto infatti per produrre componenti IA Ready e ora è arrivato il momento delle memorie, nel dettaglio stiamo parlano delle nuove QLC V-NAND di 9a gen per AI, le eredi dei moduli TLC che per lungo tempo hanno costituito uno standard.
L’azienda si è impegnata a migliorare letteralmente ogni dettaglio delle specifiche di queste memorie introducendo tecnologie nuove e proprietarie di Samsung per incrementare al contempo prestazioni, durata ed efficienza energetica.
Non si sa ancora quando arriveranno sul mercato però ormai sembra tutto pronto per la loro introduzione nelle varie componenti che ne hanno bisogno, vediamo cosa arriva di nuovo e cosa sono le tecnologie proprietarie introdotte.
Le tecnologie messe in campo da Samsung
- Channel Hole Etching: L’esperienza di Samsung accumulata grazie alla precedente tecnologia TLC ha consentito di raggiungere il più alto numero di strati possibile nel design della struttura a doppio stack, arrivando di conseguenza a una densità di bit leader nel settore, circa l’86% superiore rispetto alla generazione precedente.
- Tecnologia Designed Mold: Si tratta di una tecnologia cruciale per l’aumento del numero di strati, questa gestisce la spaziatura delle Linee di Parola che controllano le celle e ne garantisce l’uniformità, tutto ciò ha consentito un aumento nella ritenzione dati del 20%.
- Predictive Program Technology: Questa tecnologia riesce a prevedere e controllare i vari cambiamenti di stato delle celle, in tal modo si possono minimizzare le azioni da compiere, così facendo la velocità di scrittura è raddoppiata e quella di input e output dei dati è salita del 60%.
- Design molto efficiente: Samsung si è concentrata sull’uso di un design molto efficiente come consumi riducendo il consumo energetico durante la lettura e la scrittura dei dati rispettivamente del 30% e del 50%.
