Qualcomm ha annunciato il potente chipset Snapdragon 845 all’inizio di dicembre 2017. Nonostante questo, già si parla di Snapdragon 855, ovverosia la prossima proposta premium del chipmaker di San Diego che dovrebbe essere annunciata alla fine del corrente anno.

Nella giornata di ieri sono apparse online alcune delle specifiche tecniche di Snapdragon 855: se le informazioni dovessero rivelarsi corrette, la nuova piattaforma mobile di San Diego sarà il primo chip ad essere realizzato con processo produttivo a 7 nonametri.

I dettagli sono stati condivisi su Twitter dal leaker Roland Quandt: “Qualcomm non lo confermerà mai, ma i fornitori sono già stati avvisati. Snapdragon 855 (SDM855) è il primo SoC 7nm: sarà potente, ma anche parsimonioso di risorse.”

Snapdragon 855 non sarà realizzato da Samsung

Negli anni passati, Qualcomm ha prodotti i suoi chipset di fascia alta assieme a Samsung;  stando però a quanto affermato da Roland, SD 855 sarà realizzato nella fonderie di TSMC, in Taiwan, poichè la coreana non ha i macchinari necessari a produrre chip a 7nm.

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Gli attuali smartphone Snapdragon 845-powered dovrebbero arrivare entro la fine del mese; il chipset debutterà in primis su Samsung Galaxy S9 e Galaxy S9 Plus (qui la nostra anteprima), i quali sono stati presentati il 15 febbraio in occasione del MWC 2018.

Snapdragon 845 SoC è basato sul processo a 10nm FinFET, i cui core sono realizzati con architettura custom Kryo – quattro core ad prestazioni (Cortex A75) e quattro core per le operazioni quotidiane (Cortex A55). La parte grafica è affidata alla potente GPU Adreno 630.