Terafab, il progetto ambizioso nato dalle menti di Elon Musk, sembra pronto a spingersi ben oltre le sue premesse iniziali. La joint venture tra Tesla e SpaceX, che già puntava a un livello di integrazione verticale nel mondo dei semiconduttori mai visto prima, ora allarga il tiro. E lo fa entrando in un territorio delicato, quello delle memorie, dove finora hanno comandato praticamente indisturbate tre aziende soltanto.
Il segnale arriva da un annuncio di lavoro. Tesla ha aperto una posizione per un Memory Process Integration Engineer destinato proprio a Terafab, con il compito di occuparsi dell’integrazione dei processi legati alla DRAM e ad altre tecnologie di memoria emergenti. Non è un dettaglio da poco. Vuol dire che il progetto non si limita più al calcolo, ma vuole mettere le mani anche su un pezzo fondamentale della catena.
Cosa c’è davvero dietro Terafab
Per chi non avesse seguito la vicenda, conviene fare un passo indietro. Terafab è una joint venture tra Tesla e SpaceX, con un supporto tecnologico piuttosto robusto da parte di Intel, che ha un obiettivo dichiarato quasi fantascientifico. Produrre 1.000 gigawatt, ovvero un terawatt, di potenza di calcolo dedicata all’intelligenza artificiale ogni anno.
Al momento siamo agli inizi. C’è un investimento previsto di 14,3 miliardi di euro per un complesso di semiconduttori nella contea di Grimes, in Texas, che con il tempo dovrebbe arrivare a coprire una superficie di 100 milioni di piedi quadrati. L’idea di fondo è chiara. Mettere sotto lo stesso tetto tutti quei processi che negli ultimi decenni sono finiti sparpagliati un po’ ovunque. Generazione delle maschere, litografia, packaging avanzato dei chiplet, test. Il risultato che sperano di ottenere è ridurre il ciclo di progettazione di un chip dai 6 o 9 mesi attuali a poche settimane.
Non è un caso che Elon Musk stia dando la priorità alla DRAM sopra ogni altra cosa in questa fase. La memoria è il collo di bottiglia, e chi lo controlla controlla molto.
Un colpo all’oligopolio delle memorie
Le mansioni descritte nell’annuncio raccontano quanto seriamente stiano prendendo la cosa. Il futuro ingegnere dovrà gestire l’integrazione dei processi per le strutture delle celle DRAM, dalla progettazione del condensatore fino alla produzione in grandi volumi. Dovrà definire schemi per nodi avanzati, quelli sotto i 20 nanometri di half-pitch, e sviluppare flussi che ottimizzino densità di capacità, controllo delle perdite e caratteristiche di refresh.
C’è di più. Il ruolo prevede la collaborazione con i team che si occupano di etch, deposizione, impianto e CMP, oltre a un lavoro fianco a fianco con i progettisti dei circuiti di memoria per validare margini e tempistiche. E poi lo sguardo verso il futuro, con tecnologie emergenti come MRAM, RRAM o la 3D DRAM, man mano che la roadmap si espande.
Tutto questo racconta una storia precisa. Terafab vuole affrontare di petto la crisi di approvvigionamento delle memorie che sta creando parecchi grattacapi al settore. E qui le cose si fanno interessanti, perché il mercato è dominato da un vero e proprio oligopolio composto da Samsung, SK hynix e Micron. Tre nomi che si spartiscono la torta da anni, senza rivali di peso capaci di scalfire il loro predominio.
L’ingresso di un attore come quello guidato da Musk, con le sue risorse e la sua propensione a rompere gli schemi, potrebbe cambiare gli equilibri. La semplice ricerca di un ingegnere specializzato nelle memorie è la prova che l’intenzione non è rimasta sulla carta. Il progetto sta prendendo forma, pezzo dopo pezzo, e le ambizioni di partenza continuano ad allargarsi.
