Certamente non possiamo negare che la Cina abbia raggiunto il titolo di superpotenza da un punto di vista tecnologico, dopo le numerose restrizioni ricevute da parte soprattutto dell’America, la nazione orientale ha risalito la china per diventare più autonoma possibile anche per quanto riguarda i chip di intelligenza artificiale, tenendo in considerazione questo contesto, dunque non sorprende che un gruppo di ricerca appartenente alla Peking university abbia annunciato di aver sviluppato quello che hanno definito come il transistor più piccolo e tra i più efficienti attualmente presenti al mondo da un punto di vista energetico.
Dispositivo innovativo
Partendo dal presupposto che i transistor sono la base più profonda di ogni tipo di tecnologia presente nel nostro pianeta, sono l’elemento in grado di assumere la conformazione acceso-spento corrispondente a 1 o 0 grazie alla loro natura di semi conduttori, col passare del tempo questi dispositivi sono diventati sempre più piccoli garantendo una potenza di calcolo sempre maggiore a parità di superficie occupata, maggiore è il numero di transistor maggiore sarà la potenza che quel dispositivo tecnologico sarà in grado di offrire, di conseguenza più sono piccoli e meglio è.
In Cina hanno preso quest’ultimo concetto letteralmente alla Lettera dal momento che si parla di un prodotto innovativo che si basa su un elettrodo di gate grande appena 1 nm, parliamo di una dimensione che si avvicina alla scala atomica, per capirci meglio, e circa la metà della larghezza di una molecola di DNA.
I ricercatori cinesi per sviluppare questo particolare transistor hanno preso il principale limite delle tecnologie attuali correlato all’avvento dell’intelligenza artificiale, i sistemi convenzionali infatti separano memoria e calcolo obbligando i dati a continuo spostamenti che di fatto consumano energia producendo calore, di conseguenza il team ha sviluppato un particolare transistor, a effetto di campo ferroelettrico, noto come FeFET, che offre il vantaggio di integrare memorie e calcolo all’interno dello stesso elemento, un principio simile al funzionamento del cervello umano.
Fino a questo momento, però, questi dispositivi necessitavano di tensioni operative decisamente più elevate rispetto ai circuiti logici moderni, traducendosi in consumi energetici più elevati, abbassando le dimensioni del gate ad 1 nm grazie all’utilizzo di tecniche di fabbricazione avanzate, i ricercatori sono riusciti a efficientare la formazione del campo elettrico che ha permesso di abbassare la tensione operativa fino a 0,6 V rispetto agli 1,5 tipici di questi apparecchi.
I ricercatori sono talmente convinti dei risultati ottenuti che hanno deciso di depositare un brevetto per il processo e il design, applicare questa soluzione su scala industriale permetterebbe di rendere tutti i data center assolutamente meno affamati di energia con un beneficio globale decisamente evidente.