Nel bel mezzo della corsa alle nanotecnologie più spinte, Intel starebbe preparando una versione rivista e ottimizzata del suo nodo 14A, una mossa pensata per rispondere colpo su colpo a quello che TSMC e Samsung stanno costruendo. Il nuovo nodo, indicato come 14A2 o 14A Gen2, non sarebbe altro che un raffinamento della tecnologia 14A già in cantiere, ma con un’architettura a doppio lato che potrebbe fare la differenza in una partita sempre più serrata.
Cosa cambia con il nodo 14A2
Il quadro è chiaro: TSMC e Samsung stanno scaldando i motori con le loro offerte a 1,4nm. La prima porterà online i propri impianti A14 il prossimo anno, mentre Samsung punta al 2029 per la produzione di massa. In mezzo a tutto questo si inserisce Intel, pronta a lanciare la sua tecnologia 14A nel corso dell’anno, con clienti esterni già in fila per mettere le mani sul rinnovato business di produzione e fonderia dell’azienda.
La versione base di 14A sfrutta il cosiddetto PowerDirect, che introduce le reti di alimentazione posteriori, note come BSPDN. Il 14A2 farebbe un passo oltre, adottando un’architettura a doppio lato che porta l’alimentazione sia dal fronte sia dal retro del chip. Anche i numeri parlano chiaro. Il passo M0 del nodo base scenderà a 28nm, mentre con il 14A2 si spingerebbe ancora più giù, fino a 21nm.
Secondo fonti del settore, Intel aveva pianificato di applicare PowerDirect al suo processo 1,4nm di base, ma starebbe ora valutando l’introduzione della struttura Dual Side per il processo successivo. Un cambio di rotta che dice molto sulla volontà di non farsi trovare impreparata.
I nodi tecnici da sciogliere
Tutto questo sarà reso possibile da miglioramenti come il double patterning, che porta con sé guadagni anche in termini di densità. Il 14A promette già un incremento del 30% nella densità dei transistor, quindi con il 14A2 ci si può aspettare qualcosa in più. Il che aiuta pure a sfruttare meglio le costose macchine High-NA EUV, alzando la redditività per singola unità.
Non è però tutto liscio. Il passo ridotto a 21nm porta qualche grattacapo, a partire da un aumento della resistenza. Anche i nTSV, le vie di collegamento su scala nanometrica, non sono pensati per reggere densità così elevate. Per aggirare l’ostacolo Intel avrebbe adottato una struttura composita che usa il BSPDN come fonte principale di alimentazione, ma destina una parte anche allo strato metallico frontale.
Le aziende dei semiconduttori stanno spingendo al massimo, con la domanda di potenza di calcolo e di intelligenza artificiale che continua a salire senza freni. Mentre TSMC si ritrova sommersa di ordini, i produttori di chip guardano altrove, verso fonderie come Intel e Samsung. L’azienda di Santa Clara cavalca un’ondata di rinnovata fiducia, ma ha ancora parecchio da dimostrare sul fronte manifatturiero, soprattutto agli occhi dei clienti esterni. E prodotti come 18A-P, 14A e ora il 14A2 hanno addosso tutti gli sguardi.