In un mondo che corre veloce verso l’intelligenza artificiale, il resto delle branche della tecnologia sono costrette a tenere il passo, questa particolare tipologia di software come ben sapete è affamata di GPU e CPU dalle elevate potenze, ma non da meno hanno bisogno anche di memorie altrettanto prestanti, i linguaggi di grandi dimensioni infatti hanno bisogno di memorie giganti e soprattutto di rapido accesso per poter funzionare correttamente.
Il settore in questione di conseguenza si è spostato nel corso degli anni verso la tecnologia NAND, quest’ultima consentendo la sovrapposizione di layer permette di incrementare la quantità di memoria disponibile senza andare a toccare troppo le superfici occupate, ciò consente di raggiungere grandi dimensioni ma soffre di un dogma problematico, tanto maggiore è il numero di layer tanto maggiore è l’energia necessaria per permettere le operazioni di letture e scrittura, cosa che ovviamente rende le strutture affamate di energia in modo impressionante.
La novità da Samsung
A quanto pare, però molto presto questo dogma potrebbe cambiare, sembra infatti che Samsung sia riuscita a raggiungere un traguardo in grado di spezzarlo grazie ad uno studio condotto da un team di 34 ricercatori del Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) e del Semiconductor R&D Center, questi ultimi hanno testato un’architettura che riduce fino al 96% il consumo energetico nelle operazioni a livello di stringa, il tutto è reso possibile da materiali ferroelettrici integrati con semiconduttori ossidi, ciò potrebbe letteralmente sovvertire un paradigma che dà sempre a affligge le memorie NAND.
Ovviamente per Samsung ciò rappresenta una pietra miliare che però va detto gioca un ruolo importante ma relativo, la maggior parte dell’energia è infatti consumata da GPU e CPU nei data center IA, di conseguenza è auspicabile una più significativa differenza laddove la memoria conta più della potenza, non rimane che attendere per vedere gli esiti di questi step in avanti.
