Ultraram

Avete mai sentito parlare della Ultraram? Si tratta di un nuovo tipo di memoria che si serve della meccanica quantistica per avere la velocità delle DRAM (RAM Dinamica) e per conservare i dati come nelle memorie flash. Rappresenta un’innovazione senza precedenti alla quale ci si sta avvicinando sempre di più.

Nello specifico, un esperimento dei ricercatori della Lancaster University (Regno Unito), ha avvicinato lo sviluppo concreto della Ultraram. Questo tipo di memoria universale, per poter esistere ha però bisogno della fisica quantistica. In questa disciplina c’è un fenomeno conosciuto con il nome di tunnel quantistico (tunneling) mediante il quale una funzione d’onda si può propagare attraverso una barriera di potenziale.

Ma mentre nella meccanica classica le particelle che hanno poca energia non riescono ad attraversare la barriera e “tornerebbero indietro”, la meccanica quantistica ha una marcia in più. Quest’ultima, infatti, alla particella materiale associa un’onda la cui intensità in uno specifico punto dello spazio, fornisce la probabilità di trovarla in quel punto in una serie ripetuta di prove dello stesso esperimento. Su questo meccanismo del tunneling si basa proprio l’Ultraram della Lancaster University. Gli scienziati britannici, in particolare, hanno inserto nel sistema un condensatore in grado di contenere una carica elettrica per lunghi periodi di tempo. Ciò, consente di ottenere delle memorie flash come le comuni schede di memoria.

Nella Ultraram, però, gli elettroni sono trasportati dentro e fuori dal condensatore tramite il tunneling a tripla barriera risonante. Nel loro studio, pubblicato su IEEE Transactions on Electron Devices, i ricercatori spiegano di aver integrato per la prima volta la memoria Ultraram in piccoli array composti da 4 bit. Rispetto ai prototipi precedenti, questo degli scienziati britannici è davvero sorprendente poiché consente di ottenere memorie veloci e non volatili, senza alcun rischio di compromissione nella conservazione dei dati.

FONTEIEEE Transactions on Electron Devices