Samsung ha ufficializzato la nuova memoria di tipo flashbot, nome in codice HBM2E (High Bandwidth Memory 2E), questa farà da successore alle precedenti HBM2 e garantirà prestazioni nettamente superiori.
HBM è il nome dell’interfaccia per memorie RAM che offrono una maggiore larghezza di banda degli standard DDR4 e GDDR5 e pertanto utilizzate principalmente su schede video di fascia alta o supercomputer.
Queste memorie sfruttano una nuova architettura che permette un incremento di prestazioni davvero eccezionale senza però inficiare consumi e temperature di lavoro.
Una nuova architettura per maggiori prestazioni
Samsung ha realizzato dei chip da 16Gbyte basati su una nuova tecnologia a 10nm, i quali si compongono di un layer multistrato (“stacked 3D”) formato da piccole memorie da 2Gbyte, le quali sono interfacciate attraverso microbumps TSV (Through Silicon Via), ovvero dei micro-fori nel chip, per l’esattezza 40.000 in quello da 16Gbyte.
Questa particolare architettura permette un eccellente incremento prestazionale senza però aumentare il calore generato.
L’aumento di prestazioni si traduce in una velocità di trasferimento massima teorica pari a 3,2 Gbps, ottenuta grazie ad un migliore design dei circuiti che permette quindi una migliore trasmissione dei dati.
La larghezza di banda invece si attesta intorno a 410 GB/s.
Entrambi i valori possono ulteriormente aumentare attraverso l’overclocking, raggiungendo rispettivamente un transfer rate di 4,2 Gbps e una larghezza di banda di 538 GB/s.
Samsung ha pianificato di iniziare la produzione in massa intorno alla metà del 2020, senza però cessare la produzione delle precedenti memorie HBM2.
Probabilmente queste memorie dalle prestazioni eccellenti equipaggeranno le future GPU top di gamma della famiglia Nvidia e AMD.