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Nel 2019 Samsung offrirà memorie interne super veloci: nel 2020 toccherà alle RAM

scritto da Marco Serra 24/10/2018 0 commenti 1 Minuti lettura
Samsung, nuove memorie super veloci
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Se alcune tecnologie progrediscono in modo incrementale, altre fanno passi da gigante apportando miglioramenti enormi in pochissimo tempo. Questo è il caso di memorie interne e memorie RAM. Samsung, leader nella produzione di moduli di memoria, ha annunciato quando si terrà il prossimo salto generazionale.

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Lo ha fatto durante un evento a Hong Kong, ospitato da Qualcomm e focalizzato sulla connettività 5G. Durante un intervento di un responsabile Samsung, è stato rivelato che la prossima generazione di memorie flash, denominata UFS 3.0, arriverà sui dispositivi mobili nel 2019.

 

Samsung a tutta velocità: nel 2019 memorie UFS 3.0 e nel 2020 RAM LPDDR5

In breve, UFS è il tipo di archiviazione che gli smartphone moderni utilizzano per tutto, dal sistema operativo alle foto e ai video. Ogni chip di memoria ha una velocità massima a cui può leggere e scrivere file, velocità più elevate rendono il tuo dispositivo più reattivo. Allo stato attuale lo standard più veloce è l’UFS 2.1.

I chip UFS 3.0 saranno fabbricati utilizzando le ultime tecnologie NAND 3D di Samsung e consentiranno all’azienda non solo di stipare più spazio di archiviazione (e quindi ancora più GB) nella stessa dimensione, ma di renderli anche due volte più veloci. La prima ondata di nuovi chip sarà disponibile in tre configurazioni: 128, 256 e 512 GB.

Una memoria da 1 TB è prevista per il 2021 anticipandoci che saluteremo gli smartphone di punta con soli 64 GB di memoria interna. D’altra parte, questa nuova caratteristica potrà essere utilizzata dai produttori per aumentare ancora i prezzi. In ogni caso, questi nuovi chip si rivelano necessari per supportare l’evoluzione multimediale.

Un altro importante progresso è previsto per il 2020: si tratta della disponibilità delle memorie RAM LPDDR5. La memoria RAM LPDDR5 di Samsung avrà una larghezza di banda massima significativamente migliorata: 51.2 GB/s contro gli attuali 25 GB/s, e allo stesso tempo un’efficienza energetica migliorata del 20%.

La RAM è anch’essa una memoria molto importante per le prestazioni dello smartphone perché è in quella porzione che memorizza le app in esecuzione e altre cose necessarie per il loro funzionamento e per il funzionamento del dispositivo. Il passaggio alla tecnologia LPDDR5 è il primo importante aggiornamento delle RAM LPDDR4 del 2014.

RAM LPDDR5samsungUFS 3.0
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Marco Serra
Marco Serra

Giovane e appassionato dell'elettronica di consumo, Marco Serra è un aspirante ingegnere informatico e delle telecomunicazioni che scrive su tutto quello che può essere etichettato come "high tech" dedicandosi principalmente al mondo della telefonia mobile dove i protagonisti sono smartphone, tablet e wearable. Lavora come esperto informatico e nel tempo libero si dedica principalmente alla fotografia, allo sviluppo di database e al mondo delle auto, che segue da vicino.

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