Samsung, leader mondiale nella tecnologia dei semiconduttori avanzati, ha annunciato di aver iniziato la produzione di massa di System-on-Chip (SoC) con tecnologia a 10 nanometri (nm) FinFET, la prima azienda del a farlo. Un primo prodotto con tale tecnologia arriverà all’inizio del prossimo anno.
È la stesa azienda sudcoreana ad annunciare l’avvio della produzione di una nuova tecnologia per i suoi processori e del lancio di un prodotto all’inizio del nuovo anno con SoC a 10nm. Una nuova tecnologia per i processori non potrà che arrivare su un top di gamma e all’inizio dell’anno prossimo sarà lanciato il Galaxy S8, non occorre aggiungere altro.
I primi processori FinFET sono stati lanciati da Samsung nel 2015, ora l’azienda amplia la propria offerta diventando la prima nel settore mobile a realizzare chip a 10 nm. “La prima produzione di massa della tecnologia a 10nm FinFET del settore dimostra la nostra leadership nella tecnologia di processo avanzata”, ha detto Jong Shik Yoon, Executive Vice President, Head of Foundry Business di Samsung.
Il nuovo processo a 10nm FinFET di Samsung adotta una struttura avanzata di transistor 3D con ulteriori miglioramenti sia nella tecnologia di processo sia di progettazione rispetto al suo predecessore a 14nm, che consente un aumento fino al 30 per cento in termini di efficienza con prestazioni superiori del 27 per cento ed un consumo energetico ridotto del 40 per cento.
Dopo l’introduzione del processore a 10nm di prima generazione (10LPE), arriverà quello di seconda generazione (10LPP) con incremento delle prestazioni, la produzione di massa è prevista per la seconda metà del 2017. Se i primi potrebbero essere montati sul Galaxy S8 e quindi sul processore Exynos 8895, i secondi potrebbero andare ad animare la prossima serie dei Galaxy Note su cui Samsung potrebbe (e dovrebbe) impegnarsi molto per farsi perdonare il passo falso commesso con il Note 7.