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La corsa ai chip a 1 nm ha finalmente una data indicativa, almeno per quanto riguarda Samsung: la produzione di massa è attesa intorno al 2030, e sarà accompagnata da un cambio di strumenti piuttosto importante nelle fabbriche. Il colosso coreano ha messo nero su bianco l’intenzione di adottare la litografia High-NA EUV proprio a partire dai nodi che si avvicinano al singolo nanometro, dopo aver valutato di anticiparne l’ingresso e aver poi deciso di aspettare.
La tabella di marcia è stata presentata da Park Chang min, Master di Samsung Electronics, durante la conferenza NGL 2026 in Corea del Sud. Un dettaglio che aiuta a capire il contesto: Samsung usa già la litografia EUV nei suoi processi più avanzati, quelli sotto gli 8 nm, quindi non si parla di una tecnologia nuova in senso assoluto ma della sua evoluzione. Più potente, più precisa e, come sempre in questo settore, molto più costosa da mettere in funzione.
Cosa cambia davvero con High-NA EUV
Il cuore della questione sta in un numero: l’apertura numerica. Negli attuali macchinari EUV si attesta a 0,33, mentre i sistemi High-NA arrivano a 0,55. Tradotto in termini pratici, la luce viene concentrata meglio, la risoluzione sale e diventa possibile incidere sul wafer strutture ancora più piccole di quelle ottenibili oggi. È il tipo di guadagno che, in un’industria dove si lavora su scale atomiche, fa la differenza tra un nodo produttivo che funziona e uno che resta sulla carta.
C’è però un vantaggio meno evidente ma forse ancora più interessante, e riguarda il numero di passaggi necessari a costruire un chip. Con l’EUV tradizionale, certe geometrie particolarmente fini non si ottengono con una sola esposizione: servono più passaggi di patterning, cioè di modellazione del wafer, con tutto quello che comporta in termini di tempo, costi e rischio di introdurre difetti. High-NA promette di comprimere alcune di queste sequenze in un solo passaggio. Meno complessità, meno margine di errore, catena produttiva più snella.
La roadmap Samsung fino al 2030
L’azienda avrebbe voluto portare High-NA già sui processi a 2 nm e 1,4 nm, ma la tecnologia richiede ancora lavoro di sviluppo prima di essere considerata pronta per la produzione su larga scala. Da qui la scelta di spostarla più avanti nel calendario. Secondo Samsung, diventerà praticamente indispensabile a partire dai processi della famiglia A10, quelli attorno a 1 nm, e da tutti quelli successivi. Nel frattempo la collaborazione con diversi partner prosegue, con l’obiettivo dichiarato di applicarla alla produzione il prima possibile.
Il calendario, allo stato attuale, prevede l’avvio del processo SF1.4 a 1,4 nm nel 2029. L’anno successivo, nel 2030, dovrebbero arrivare la variante SF1.4+ e la generazione a 1 nm. Una scaletta che lascia intendere una transizione graduale, con i nodi intermedi ancora affidati agli strumenti EUV di attuale generazione e il salto tecnologico concentrato sull’ultimo gradino.
