Il nome CXMT sta diventando sempre più ricorrente nei piani di Apple, e l’ultima novità potrebbe rendere il produttore cinese ancora più appetibile. Il colosso di Cupertino sta lavorando da tempo per portare questa azienda dentro la propria catena di fornitura per la DRAM, non tanto per spuntare prezzi più bassi quanto per ridurre il rischio di carenze. E i numeri spiegano bene il perché: si stima che entro il prossimo anno i datacenter dedicati all’intelligenza artificiale possano accaparrarsi oltre il 60 percento delle spedizioni di memoria.
Mentre Apple cerca anche di mantenere buoni rapporti con l’amministrazione Trump, arriva la notizia di uno sviluppo che potrebbe cambiare le carte in tavola. CXMT avrebbe infatti avviato la ricerca su un nuovo tipo di DRAM capace di spingere insieme prestazioni e capacità, il tutto usando macchinari DUV di vecchia generazione. Un dettaglio non da poco, perché aggira uno degli ostacoli più grandi imposti dalle sanzioni statunitensi.
La bonding DRAM che potrebbe attirare l’attenzione di Apple
Il cuore della questione è una tecnica chiamata Wafer-to-Wafer Hybrid Bonding, ovvero il collegamento diretto tra due wafer allineati con estrema precisione e poi fusi insieme. In pratica si abbandonano i tradizionali microbump, quei minuscoli contatti usati fino ad oggi per unire i chip di memoria. Questa tecnologia, nota anche come bonding DRAM, sarebbe già in fase di test su una linea pilota a Hefei, in Cina, con l’obiettivo dichiarato di arrivare alla produzione di massa di memoria ad alta densità.
C’è poi un secondo elemento interessante. La produzione prevede di separare l’array delle celle di memoria dai circuiti logici di controllo periferici, mettendoli su wafer diversi. Così ciascuna parte può essere realizzata con processi differenti e ottimizzati per il proprio scopo. Eliminare i microbump significa recuperare spazio fisico, ridurre la latenza e limitare le resistenze elettriche parassite.
Il risultato pratico? La memoria ad alta densità offre velocità di trasmissione maggiori e consumi più bassi, perché i collegamenti diventano più corti, senza però ingombrare di più in orizzontale. Tradotto per chi pensa già a un futuro iPhone: si libererebbe spazio prezioso sulla scheda logica, dando ad Apple un po’ di margine in più per aggiungere altri componenti e migliorare l’esperienza d’uso.
Con l’accelerazione tecnologica cinese frenata dalle sanzioni americane, non c’è alcuna possibilità che i costosissimi macchinari EUV arrivino sul suolo cinese. Ma la buona notizia, per CXMT, è che non ne avrà bisogno. E mentre Samsung e SK hynix controllano gran parte della fornitura mondiale di DRAM, la Cina con i suoi 119 brevetti potrebbe colmare il divario in un arco di 3-5 anni.
Un’intesa che arriverebbe al momento giusto
Apple ha l’abitudine di prenotarsi in anticipo le prime spedizioni dei wafer di nuova generazione di TSMC. Potrebbe fare lo stesso con CXMT, mettendo le mani sulla memoria ad alta densità prima della concorrenza grazie alla sua forza sui volumi. Con un ordine abbastanza grande sul tavolo, il produttore cinese avrebbe ben poco da obiettare davanti a quello che diventerebbe forse il suo cliente più redditizio.
L’ultimo tassello mancante resta il via libera dell’amministrazione Trump, senza il quale nessuna partnership potrà davvero decollare. Va però ricordato che il produttore cinese si trova ancora nella sola fase di ricerca e sviluppo, il che significa che potrebbero passare diversi anni prima che questa DRAM ad alta densità entri in produzione di massa. E c’è pure la possibilità che la tecnologia non superi i severi requisiti qualitativi di Apple, finendo scartata del tutto.
Le variabili in gioco sono davvero tante, quindi conviene aspettare che una vera collaborazione tra le due aziende prenda forma concreta.