Memorie UFS 3.0
Oggi 31 gennaio Solid State Technology Association (JEDEC) ha annunciato il nuovo standard v3.0 Universal Flash Storage (JESD220D e JESD223D), le nuove memorie destinate a dispositivi mobili e sistemi di calcolo che richiedono elevate prestazioni e basso consumo di energia. UFS 3.0 è il primo ad introdurre MIPI M-PHY HS-Gear4. Quest’ultimo offre prestazioni due volte più veloci (11.6Gbps) rispetto al HS-G3 delle UFS 2.1.
Il più grande vantaggio della memorie UFS è la velocità estremamente superiore rispetto alle eMMC, grazie al canale bidirezionale ed una larghezza di banda fino a 23.2Gbps, ovverosia 2.9GB / s.
UFS 3.0 utilizza un MIPI M-PHY V4.1 ed i più recenti v1.8 MIPI UniProSM per formare uno strato di interconnessione. Oltre a ciò, il nuovo standard supporta più partizioni di UFS 2.1, che si ferma ad 8. Ma non solo: il sistema di correzione degli errori è stato migliorato e l’alimentazione a 2.5V VCC consente un basso consumo energetico, oltre a supportare l’ultima tecnologia NAND. 
“UFS 3.0, UFSHCI 3.0 E gli update delle schede di memoria offrono ora una serie di miglioramenti rispetto alle precedenti versioni”, ha dichiarato MIAN QUDDUS, Mian Quddus, Chairman of the JEDEC Board of Directors and the JC-64 Committee for Embedded Memory Storage and Removable Memory Cards. Ancora: “L’implementazione di nuove funzionalità specifiche per il mercato automotive sottolinea l’impegno di Jedec di continuare a lavorare per migliore l’ecosistema UFS e soddisfare così le esigenze di questo settore e, in ultima analisi, del consumatore.”
Di recente, Samsung ha annunciato che annuncerà le sue memorie UFS 3.0 nel primo trimestre del 2018. Molto probabilmente, comunque, Galaxy S9 non godrà di questa novità, che dovrebbe essere inserita su Note 9.
