In questo articolo Indice dei contenuti 2 sezioni
SK hynix avrebbe spostato al 2027 gli ordini per le apparecchiature di backend destinate alla produzione di HBM4, la memoria ad alta larghezza di banda di nuova generazione. La notizia ha subito alimentato voci, finora mai confermate, su possibili difficoltà tecniche. Esiste però anche una spiegazione molto più concreta e legata ai conti. L’azienda potrebbe semplicemente preferire i margini generosi garantiti oggi dalla DRAM di uso generale.
Il passaggio chiave dello sviluppo di HBM4 era stato completato con successo lo scorso anno, ma questo non vuol dire che il produttore di memorie navighi in acque tranquille. Le macchine per le fasi finali della lavorazione dovevano arrivare negli stabilimenti nel corso di quest’anno e invece slittano all’anno prossimo. Il ritardo pesa soprattutto se si guarda alla concorrenza. Le memorie HBM sono state il vero motore della ripresa della divisione foundry di Samsung, che secondo le indiscrezioni farebbe pagare ai clienti HBM4 tre volte tanto. Senza le attrezzature avanzate nei tempi previsti, SK hynix rischierebbe di lasciare sul tavolo una quantità enorme di guadagni.
Il rinvio potrebbe essere una scelta voluta
C’è anche la possibilità che lo slittamento sia stato deciso a tavolino. I prezzi della DRAM tradizionale sono saliti e questi chip restano la principale fonte di ricavi per SK hynix. Rallentare gli investimenti sulle memorie ad alta larghezza di banda per incassare di più dalle linee già operative sarebbe quindi una mossa del tutto razionale. Le speculazioni sui ritardi, insomma, potrebbero nascere da una semplice questione di priorità economiche.
Su questa linea si colloca anche Ryu Hyung-geun, analista di Daishin Securities, secondo cui i timori sulla qualità sono stati gonfiati oltre misura e i problemi di backend non sarebbero affatto irrisolvibili. Alcune fonti del settore rimaste anonime aggiungono che SK hynix continua a essere il punto di riferimento nel packaging delle memorie. L’azienda ha già consegnato ai clienti principali campioni di HBM4 a 16 strati, quindi un ritardo negli ordini delle attrezzature non significherebbe automaticamente difficoltà produttive.
Il nodo del Molded Underfill
Non tutti però la vedono così. Secondo alcuni osservatori le difficoltà nella fase di backend sarebbero reali e, paradossalmente, nascerebbero proprio da quello che era stato il punto di forza dell’azienda. La tecnologia Molded Underfill, nota anche come MUF, aveva permesso a SK hynix di superare Samsung e Micron con le generazioni HBM2E, HBM3 e HBM3E. Già a marzo 2026 erano però emerse notizie secondo cui il produttore faticava a iniettare il materiale di riempimento tra i die DRAM che compongono lo stack di memoria.
A metà ottobre 2026 sono circolate in rete affermazioni ancora più nette. SK hynix non sarebbe riuscita a risolvere i problemi di backend legati a HBM4 da oltre un anno, e la tecnica che le aveva garantito il vantaggio sarebbe diventata la sua principale debolezza. Sempre secondo queste voci, il prossimo anno sarebbe Samsung a conquistare la quota più ampia del mercato HBM. L’origine delle complicazioni andrebbe cercata nella riduzione della distanza tra i singoli die, resa necessaria per rispettare gli standard JEDEC. Uno spazio più stretto rende infatti più complicato far scorrere il materiale di riempimento in modo uniforme. Interpellato sulla questione, un funzionario di SK hynix ha dichiarato che l’investimento nelle apparecchiature di backend procede secondo i piani originali, lasciando intendere che i presunti problemi tecnici di HBM4 potrebbero essere poco più che chiacchiere.
Fonte: TecnoAndroid