Exynos 2600 ha finalmente messo a tacere una delle critiche più vecchie e fastidiose rivolte ai processori di casa Samsung: il calore. Per anni questi chip hanno avuto la reputazione di scaldarsi come una giornata di luglio a Miami, con tutto quello che ne consegue in termini di prestazioni che calano quando il telefono si surriscalda. Stavolta però le cose sono cambiate, e il merito va a una soluzione tecnica piuttosto ingegnosa che ha attirato l’attenzione anche dei concorrenti più grossi.
Exynos 2600: la novità che ha fatto la differenza
Il cuore di tutto si chiama Heat Pass Block, abbreviato in HPB. In pratica si tratta di un dissipatore in rame piazzato sopra il processore, e per farlo funzionare Samsung ha dovuto rivedere la disposizione interna del chip. La memoria DRAM, che prima stava comodamente sopra il die, è stata spostata di lato. Il motivo è semplice: avere la DRAM sopra il chipset fa risparmiare spazio ma rende il tutto troppo caldo. Con lo spostamento, invece, il dissipatore e il processore possono toccarsi direttamente. Grazie alla conduzione termica, il calore generato dall’Exynos 2600 viene trasferito alla base del dissipatore, e il risultato è un SoC più fresco del 30%.
Questo nuovo chip, nella sua configurazione decacore, alimenta Galaxy S26 e Galaxy S26+ in Europa, Corea del Sud e India. Il Galaxy S26 Ultra invece monta lo Snapdragon 8 Elite Gen 5 di Qualcomm in tutti i mercati, senza eccezioni.
Un video pubblicato dal creator Geekerwan ha mostrato qualcosa di sorprendente: l’Exynos 2600 riesce a battere uno Snapdragon 8 Elite Gen 5 raffreddato addirittura ad azoto liquido. Un risultato che la dice lunga sulla bontà dell’HPB e del chip in generale. Il test ha usato una coppia di Galaxy S26+, proprio perché l’Ultra adotta il chip Qualcomm. Da notare che il Galaxy S26+ non ha la stessa vapor chamber del modello Ultra più grande, e in effetti l’Exynos 2600 ha sofferto un po’ di throttling termico.
I concorrenti prendono appunti
E qui arriva la parte interessante. Gli altri progettisti di chip stanno osservando con attenzione. Un leak recente dello schema dello Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro ha rivelato che Qualcomm potrebbe adottare lo stesso metodo per raffreddare il chip destinato, forse, al Galaxy S27 Ultra. Samsung intanto non si ferma. L’ Exynos 2700 dovrebbe portare una nuova architettura side by side e un dissipatore migliorato. Il nuovo design riporterà la RAM sopra il SoC, con il dissipatore piazzato sopra la RAM stessa. Così a raffreddarsi non sarà solo la CPU, ma anche la memoria.
C’è poi un altro primato da segnalare. L’Exynos 2600 montato su Galaxy S26 e Galaxy S26+ è stato il primo silicio a 2 nanometri usato per muovere uno smartphone. Un sorpasso storico ai danni di Apple, che negli ultimi anni era sempre stata la prima a debuttare con i processi produttivi più avanzati. Basti pensare a iPhone XS e XS Max, primi con un chip a 7 nanometri nel 2018, o a iPhone 12 primi con i 5 nanometri nel 2020, e ancora a iPhone 15 Pro e iPhone 15 Pro Max con i 3 nanometri nel 2023.
Il chip Samsung sfrutta il processo SF2 a 2 nanometri di Samsung Foundry, che ha introdotto anche l’architettura a transistor Gate All Around. In questa soluzione il gate copre il canale su tutti e quattro i lati, riducendo le perdite di corrente e migliorando la corrente di pilotaggio. Più questa è alta, più velocemente il transistor passa da “On” a “Off”, con un guadagno netto in prestazioni.
L’Exynos 2700 userà invece il processo SF2P, una versione potenziata che dovrebbe garantire un 12% di prestazioni in più e un 25% di consumi energetici in meno rispetto al precedente. Forte di questa ritrovata fiducia, Samsung ha dichiarato all’inizio dell’anno di voler usare i propri Exynos su tutti i Galaxy, modelli S Ultra compresi.
