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Memorie NAND 3D per smartphone top di gamma: l’annuncio di Micron

Micron Technologies ha annunciato ufficialmente le nuove memorie NAND 3D da indirizzare all’attenzione dei vendor di terze parti nel segmento mobile phone top di gamma.

Si tratta della seconda generazione di prodotti destinati al settore della telefonia mobile top di gamma e si rivolge quindi a quei comparti in cui si richiede una potenza di elaborazione notevole in ottemperanza a quanto previsto nel contesto dell’Intelligenza Artificiale, della realtà virtuale ed aumentata e nelle tecnologie di riconoscimento facciale.

Le nuove memorie NAND 3D TLC 64-layer di Micron sono conformi agli standard di settore UFS 2.1 ed offrono prestazioni ed efficienza ai massimi livelli, ben oltre i limiti imposti dalla generazione precedente. Il tutto grazie ad un processo che ha previsto una maggior densità di integrazione basata su design Micron CuA (CMOS under Array).

I chip, basati su wafer di semiconduttore da 32GB con superficie pari a 59,341 mm2, vengono concessi con capacità assolute di 64, 128 e 256GB

. Il Vice Presidente del settore Mobile Marketing della compagnia, Gino Skulick ha dichiarato che:

Le memorie svolgono un ruolo sempre più critico nel garantire le funzionalità più avanzate che ci aspettiamo dai nostri smartphone. Micron offre sia memorie DRAM che NAND 3D per il mobile, e il nostro design all’avanguardia garantisce le prestazioni richieste dagli smartphone più avanzati

Il comunicato stampa ufficiale disponibile sul sito di riferimento non fa riferimento ai listino prezzi ed alla disponibilità di mercato per questi primi esemplari, che avremo modo di conoscere a bordo delle soluzioni top di gamma del comparto smartphone. Caratteristiche peculiari di queste memoria Micron 3D NAND sono:

  • Architettura Micron ottimizzata per il segmento mobile: grandi prestazioni, basse latenze e consumi ulteriormente ridotti
  • Prestazioni maggiorate del 50% rispetto alla precedente generazione di NAND 3D mobile
  • Densità doppia rispetto alla precedente generazione, a parità di dimensioni del package
  • Standard USF 2.1 G3-2L a garanzia di una larghezza di banda doppia rispetto alle memorie del tipo eMMC 5.1
  • Nuovi die NAND 32GB da 59,3 mm2 che riducono notevolmente le loro dimensioni rispetto alle nuove controparti di mercato ed ai chip di generazione precedente
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Pubblicato da
Domenico