Samsung è al centro di un nuovo ciclone, dopo il fiasco di Galaxy Note 7 ecco che Galaxy S8 viene colpito dal #MemoryGate!
Abbiamo ancora negli occhi il fiasco di Samsung Galaxy Note 7 che costò a Samsung svariati milioni di dollari e, come avevamo già anticipato la scorsa settimana, un nuovo scandalo, seppur di entità minore, sta travolgendo il colosso della tecnologia sud coreano.
Lo hanno chiamato #MemoryGate e riguarda, appunto, la tipologia di memoria interna utilizzata dal nuovissimo flagship Samsung Galaxy S8 e dal suo fratello maggiore Samsung Galaxy S8+. Per semplificare il più possibile, la questione è davvero semplice, Galaxy S8 è stato commercializzato in due versioni differenti, una montante il SoC proprietario, un Exynos 8895 e una montante un SoC Qualcomm Snapdragon 835. Il problema però non risiede, come detto, nelle CPU ma nella tipologia di storage. Samsung aveva difatti fatto grande pubblicità alle memorie UFS 2.1, utilizzata, secondo le schede tecniche, in entrambe le versioni. UFS 2.1 e la precedente UFS 2.0 si differenziano per prestazioni, chiaramente la 2.1 è più performante rispetto alla 2.0 anche se, considerando il resto delle specifiche hardware, è praticamente impossibile che la differenza sia tangibile dall’utente.
Lo standard UFS, Universal Flash Storage, è uno dei più utilizzati al mondo e il salto dalla versione 2.0 alla versione 2.1 è ravvisabile, oltre che nelle prestazioni, nella grandezza fisica del supporto. La nuova versione è dunque più compatta, andando ad occupare uno spazio minore all’interno del case e permettendo dunque ai produttori di limare ancora di più le dimensioni, nello spessore, dei propri dispositivi. Parlando di prestazioni, invece, usando un semplice tool come AndroBench, chiunque può rendersi conto che lo standard UFS 2.1 legge alla velocità di 800 MB per secondo, mentre il ‘vecchio’ 2.0 viaggia ad una velocità di lettura di ‘soli’ 500 MB per secondo.
[appbox googleplay com.andromeda.androbench2]
Secondo un approfondimento sulla questione del noto forum XDA, che raccoglie sviluppatori indipendenti da tutto il mondo, alcuni Galaxy S8 montanti lo Snapdragon 835 monterebbero anche delle memorie interne di tipo UFS 2.0, la Toshiba THGBF7G9L4LBATRC, al contrario di quanto dichiarato da Samsung che ritiene che tutti i propri devices monterebbero le 2.1. I Galaxy S8 con chip Exynos 8895 invece monterebbero tutti, a prescindere, memorie UFS 2.1 di tipo KLUCG4J1ED-B0C1 prodotte dalla stessa Samsung.
In Italia, dove S8 è stato commercializzato solo in versione Exynos, il problema dovrebbe essere scampato, in ogni caso è possibile scoprire quale tipo di memoria interna monti il proprio device tramite alcune comode app disponibili gratuitamente nel PlayStore come Material Terminal.
[appbox googleplay yarolegovich.materialterminal]
Samsung in ogni caso è, non solo a rischio figuraccia, ma anche a rischio reputazione, dichiarare una scheda tecnica e poi distribuire un device con caratteristiche differenti rappresenta non solo un duro colpo all’immagine dell’azienda già inficiata dal caso Galaxy Note 7, ma potrebbe rappresentare anche un grave danno economico nel caso in cui gli utenti che possiedono dei Galaxy S8 con memorie UFS 2.0 decidano di chiedere sostituzione o rimborso.
