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L'hybrid bonding doveva essere la vera novità delle memorie di prossima generazione, eppure un cambio di rotta potrebbe metterla in secondo piano. Secondo quanto emerso dalla stampa coreana, un allentamento degli standard fissati dal Joint Electron Device Engineering Council, meglio conosciuto come JEDEC, potrebbe spingere Samsung e SK hynix a rimandare questa tecnologia per le memorie HBM4. Il punto è tutto qui: le regole precedenti prevedevano uno spessore di 900 micrometri per le nuove HBM, ma i nuovi parametri potrebbero portare quella soglia fino a 1.000 micrometri. HBM4, Samsung e SK hynix: regole più morbide, tecnologia rimandata Il primo segnale di interesse verso questa soluzione era arrivato lo scorso aprile, quando si era saputo che SK hynix aveva verificato un chip HBM a 12 stack proprio con hybrid bonding, con l'idea di avviarne la produzione insieme ai chip HBM4. L'idea di fondo è semplice da capire. Le memorie di nuova generazione hanno bisogno di sempre più strati di DRAM impilati, e i metodi tradizionali cominciano a mostrare i loro limiti. I chip HBM classici si affidano infatti al cosiddetto heat bonding. In pratica sotto ogni chip DRAM vengono inseriti un underfill e dei bump, poi il tutto viene fissato con calore e pressione. L'hybrid bonding lavora in modo diverso, eliminando quello strato di underfill che, tra l'altro, si comporta come un isolante termico. Meno calore intrappolato significa una dissipazione migliore, ed è proprio questo il vantaggio più ghiotto. Il problema è che gli ultimi rumor raccontano un'altra storia. Samsung e SK hynix potrebbero saltare l'hybrid bonding sulle HBM4 e introdurlo solo con le successive HBM4E. La ragione, ancora una volta, va cercata nelle scelte del JEDEC. Spessori, strati e clienti che frenano Già a marzo si parlava di un possibile aumento della definizione di spessore per uno stack HBM4, che sarebbe potuta passare dai 775 micrometri attuali a una forbice compresa tra 825 e 900 micrometri. Ora si aggiunge un ulteriore tassello: per le HBM5 lo spessore standard potrebbe essere ammorbidito, salendo dai 900 micrometri odierni fino a quota 1.000. Con più spazio a disposizione, insomma, la fretta di adottare l'hybrid bonding diminuisce parecchio. C'è poi un fattore che pesa non poco, ovvero la domanda. Alcuni clienti di peso, NVIDIA su tutti, avrebbero posticipato le richieste per le HBM ad alto numero di strati. Un motivo in più per i due colossi coreani per prendersela con calma. A rendere il quadro ancora più chiaro c'è una voce vicina alla vicenda, secondo cui le discussioni sugli stack HBM a 16 strati sarebbero ferme. Il che significa che perfino i prodotti HBM4E potrebbero restare fermi a 12 strati. Nel frattempo le due aziende non vogliono rinunciare del tutto ai benefici sul fronte del calore. La strada scelta sembra essere quella dei dispositivi per la dissipazione termica, così da recuperare parte dei vantaggi di raffreddamento che l'hybrid bonding garantirebbe in modo naturale. Una soluzione tampone, se vogliamo, in attesa che i tempi siano davvero maturi. Perché il momento della verità, prima o poi, arriverà comunque. Con la crescita dei terminali di input e output prevista sulle HBM5E, l'hybrid bonding diventerà una scelta obbligata. A quel punto rinviarlo non sarà più possibile, e la tecnologia entrerà a pieno titolo nelle linee di produzione. Fonte

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HBM4, Samsung e SK hynix potrebbero rimandare l’hybrid bonding