memoria Samsung 7nmSamsung Electronics è ormai pronta ad abbandonare le attuali proposte architetturali a 10 nanometri per dedicarsi a pieno regime alle fasi di produzione dei nuovi sistemi elettronici a 7 nanometri.

Lo scopo, e questo è chiaro, è quello di contrastare lo strapotere di TSMC, recentemente entrata in rapporti di affari con Qualcomm per la realizzazione del primo prototipo di microprocessore basato su sistema litografico EUV a 7nm, ovvero sia lo Snapdragon 855, che incontreremo con ogni probabilità in anteprima sul finire del 2018.

Samsung: prima fase di apertura del progetto 7nm

Il nuovo stabilimento produttivo Samsung sorgerà Hwaseong, nella provincia di Gyeonggi (Corea del Sud). Il Koreal Herald riporta, di fatto, l’annuncio di un nuovo e cospicuo piano interno di investimenti volti alla creazione di un sistema in grado di produrre nuovi memory chip. Ma non è che l’inizio.

Infatti, proseguendo la lettura, si scopre che la società si sta già attivando per la realizzazione di un impianto che consenta, in un futuro non tropo lontano, di alzare l’asticella dell’ottimizzazione portandola al limite dei 5 nanometri.

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I lavori prenderanno il via già a partire da questa settimana e si accompagneranno ad una cerimonia inaugurale che coinvolgerà tutti i residenti in zona. Nemmeno a dirsi, si tratterà di un impianto all’avanguardia, basato sulle più recenti tecnologie litografiche EUV disponibili per la realizzazione dei microchip.

Da questo punto di vista, secondo quanto conferito dagli esperti del settore, Samsung potrebbe avvantaggiarsi notevolmente rispetto ai rivali che, allo stato attuale, possono disporre di tecnologie in litografia ottica dalla resa nettamente inferiore rispetto al’EUV (Extreme Ultraviolet) importate dai Paesi Bassi.

Entro il prossimo anno, la società riuscirà a concretizzare l’impianto rendendolo pienamente operativo e pronto ad espandersi non soltanto in vista di ulteriori operazioni di fonderia ma anche per altri scopi non ancora meglio definiti.