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Intel e Micron hanno appena annunciato un nuovo tipo di memoria dalle prestazioni mai viste sino ad ora. Il mondo della tecnologia potrebbe subire una vera e propria rivoluzione grazie a questa innovazione.

La tecnologia 3D XPoint (3D cross point) è 1000 volte più veloce e molto più resistente delle attuali memorie NAND (utilizzate sulle SSD). Inoltre il prodotto di Intel e Micron pare avere una densità di ben 10 volte superiore alle attuali tecnologie.

Una densità maggiore consente uno stoccaggio dei dati ampliato nello stesso spazio fisico occupato dalle attuali SSD.

Inoltre la velocità di accesso alle informazioni delle memorie con tecnologia 3D XPoint è misurata in termini di nanosecondi mentre per le memorie NAND si ragiona in millisecondo.

Infine, ma solo in ordine di elencazione, la memorie 3D XPoint avrannò una resistenza maggiorata rispetto alle NAND. Se quest’ultima, infatti, riesce a scrivere 40 GB al giorno per 5 anni prima di dare problemi, con le 3D XPoint nello lo stesso lasso di tempo si potranno compilare 2TB per due volte al giorno. Una differenza molto forte.

L’utilizzo di questa nuova tecnologia sarà utile in tutti gli ambiti, dalla finanza al campo medico. Qualsiasi dispositivo utilizzi software che necessitano grandi quantità di memoria potrà beneficiare di un nuovo metodo di stoccaggio molto più efficace ed efficiente di prima.

Ovviamente anche smartphone, tablet ed affini saranno sicuramente equipaggiati con questa nuova tecnologia che consentirà finalmente di aumentare lo spazio a disposizione dell’utente in maniera considerevole senza dover ricorrere a espansioni esterne.

Micron e Intel sono già pronti a distribuire il loro prodotto che probabilmente sarà montato sui primi dispositivi prima della fine dell’anno.

 

FONTEPhonadroid
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