Samsung: in arrivo nuove memorie UFS 2.0 da 256GB

Samsung inizia la produzione in serie dei nuovi chip V NAND di memoria UFS 2.0 da 256 GB. Le prestazioni sono impressionanti, le operazioni di scrittura e lettura superano vantano numeri di gran lunga superiori rispetto a quelli dell'attuale generazione. Le nuove UFS 2.0 saranno destinate a dispositivi di fascia altissima.

Samsung 256GB UFS 2.0

Samsung dopo aver annunciato l’anno scorso le memorie UFS 2.0 da 128 GB, oggi, il Produttore ha dato ufficialmente il via alla produzione in massa delle nuove memorie UFS 2.0 da 256GB esclusivamente per dispositivi di fascia premium.

Al Mobile World Congress Samsung ha annunciato il nuovo Galaxy S7, dispositivo che integra la “vecchia” generazione di memorie UFS 2.0, ma che al momento sono le più veloci sul mercato… Anche se ancora per poco.

Samsung, le nuove super veloci memorie UFS 2.0

Le nuove memorie prodotte da Samsung raddoppiano di fatto il quantitativo di memoria a disposizione e in più verranno realizzate con delle nuove tecniche che garantiranno dimensioni inferiori a quelle di una scheda microSD.
Le prestazioni rispetto all’attuale generazione sono notevolmente aumentate e i numeri parlano chiaro: la velocità di lettura sequenziale è pari a ben 850MB/s, mentre più basse ma comunque molto interessanti anche la velocità di scrittura sequenziale che raggiunge i 260MB/s.

Stando a quanto dichiarato da Samsung, i chip V-NAND delle nuove memorie UFS 2.0 da 256 GB sono in grado di gestire fino a 45.000 IOPS (input/output operations per second) in lettura casuale e ben 40.000 IOPS in scrittura casuale. Questi numeri se comparati alla attuale generazione di memorie UFS sono sbalorditivi, considerando che sono in grado di raggiungere rispettivamente 19.000 e 14.000 IOPS in lettura e scrittura.

La sempre più crescente richiesta del mercato di potenza da parte dei processori e velocità di accesso da parte dell’hardware di archiviazione ha spinto il colosso Samsung a realizzare questo nuovo tipo di memoria.
Inoltre, il mercato sta spingendo sempre più verso l’alta definizione, non più soltanto il formato Full HD ma i contenuti si trovano sempre più spesso in 2k, 4k e a breve anche 8k. Questi formati audiovisivi sono caratterizzati da un elevato peso occupato in memoria a causa dell’alto bitrate ed ecco perchè nasce il bisogno di integrare nei dispositivi memorie sia molto capienti che veloci.

La nuova generazione di UFS 2.0 se abbinate ad una porta USB 3.0 permetterà il trasferimento di un video Full HD da 5 GB in poco meno di 12 secondi, una velocità davvero incredibile.

Ora non resta che capire quale prossimo dispositivo, presumibilmente Samsung, implementerà questa nuova memoria UFS 2.0. Inoltre è da considerare il fatto che l’anno scorso tutta la gamma Galaxy, incluso il Note 5, non avevano la possibilità di espandere la memoria con microSD.
L’espandibilità è una caratteristica importante, tuttavia le schede di memoria aggiuntive più utilizzate non hanno neanche lontamente prestazioni simili a quelle dichiarate da Samsung. Ora, i tagli di memoria più utilizzati sono quelli da 16 GB e 32 GB. L’anno scorso, si sono cominciati a vedere un po’ di più i tagli da 64 GB proprio come conseguenza dell’impossibilità di espansione, ma ricordiamo che, almeno per il modello di Galaxy S6, era prevista anche una versione da ben 128 GB.

Con 128 o addirittura 256 GB l’espandibilità di memoria sarà davvero ancora una feature necessaria, specialmente sapendo che le microSD che si andranno ad inserire avranno inevitabilmente velocità di lettura e scrittura enormemente inferiori rispetto alla memoria integrata?
A questa domanda solo il tempo potrà darci una risposta.