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Ecco la rivoluzione che tanti aspettavamo, Samsung ha sperimentato con successo e quindi avviato la produzione dei primi chip DRAM a 20 nanometri, in formato 4x1Gb, ossia 4Gb (Gigabit)! Vediamo tutti i dettagli!

Si sa che le memorie si evolvono quasi in parallelo con le CPU, anche se si sa, le memorie sono proprio il collo di bottiglia nei sistemi di calcolo in quanto la colpa di molti rallentamenti della CPU è proprio per causa di una ram lenta, Samsung punta a risolvere questo con la produzione delle DRAM da 4Gb in formato 4×1 ossia 4 chip da 1Gb!

Per farlo sono state usate tecniche di litografia, ossia di “design dei circuiti” usate per i chip a 10 nanometri, cosa a cui si aspira per avere delle ram davvero eccellenti, ma essendo usate per i chip a 20 nanometri dovrebbero garantire un rapporto qualità/prezzo decisamente maggiore, senza contare che questa piccola rivoluzione permetterà un risparmio di circa il 30% di batteria rispetto all’attuale DRAM!

Il principale vantaggio quindi sono i consumi ridotti, ma non è il solo, infatti uno degli effetti “collaterali” è quello di avere una velocità di lettura/scrittura decisamente migliore ma anche il fatto di poter inserire più chip, quindi più memoria in uno spazio inferiore!

Non sappiamo quale devices avrà l’anteprima di questa novità, ma siamo certi che in futuro avranno tutti questa nuova versione della memoria!
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