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Dopo la presentazione ufficiale in rete sono apparse valanghe di foto e video ufficiali e non sulle funzionalità di questo nuovo phablet Samsung e gli utenti aspettano con ansia le prime prove sul campo per poter constatare la potenza e sopratutto, nota dolente di tutti i terminali, la durata della batteria

Stavolta però Samsung non si è limitata ad inserire una batteria più capiente che ricordiamo è di ben 3200 mhA ma è stato da poco scoperto su rivelazione dal sito ufficiale di Qualcomm che al suo interno racchiude un qualcosa che farà felici tutti quelli che utilizzano in modo massiccio il proprio terminale e si ritrovano spesso a corto di batteria.

LTE è una tecnologia veramente fantastica che porta la connessione internet a un livello superiore ma che purtroppo visto la maggiore potenza spesso consuma più batteria del dovuto e questo è un grosso svantaggio, almeno fino ad oggi. Nel modello LTE del Galaxy Note III con CPU Snapdragon 800 quindi Samsung ha pensato a un’interessante soluzione. All’interno del telefono è stato inserito il chipset QFE1100 Qualcomm che utilizzando una tecnologia chiamata  tracking Envelope manterrà il consumo di energia più basso durante la connessione.

galaxy note chip qualcomm bignal battery

Il chip in pratica traccia cambiamenti nella frequenza radio e regola l’amplificatore di potenza conseguenza e a differenza dei chip attuali non manterranno il segnale sempre a piena potenza consumando drasticamente la batteria quindi senza naturalmente perdere nulla in prestazioni. Questa regolazione intelligente del segnale quindi oltre a ridurre il consumo di energia in comunicazione con la rete di ben il 20% ridurrà anche il calore del 30% migliorando quindi anche la velocità e l’affidabilità del segnale.

Una notizia in pratica che rende questo dispositivo sempre più interessante con una tecnologia che speriamo troveremo sempre su più terminali in modo da non doverci trovare a metà giornata con il cellulare scarico.

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